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电子化学品

PTFE切削膜

纳米复合陶瓷改性低损耗 PTFE 膜

采用超薄精密切削工艺制备的纳米复合陶瓷改性PTFE膜材料,介电常数(Dk)可按需调节,在高频下具有超低介电损耗(Df)、优异的耐热性与低热收缩率,介电性能稳定,适用于相控雷达、AI服务器、5G基站等需要低损耗、高绝缘耐压与信号完整性的高频高速场景。

超低介电损耗 高频下 Df 极低,信号完整性好
介电常数可调 Dk 按需调节,匹配设计需求
优异耐热性 适合高温高频应用场景
信号稳定 适用于相控雷达、AI 服务器

产品概述

采用超薄精密切削工艺制备的纳米复合陶瓷改性 PTFE 膜材料,介电常数(Dk)可按需调节,在高频下具有超低介电损耗(Df)、优异的耐热性与低热收缩率,介电性能稳定,适用于相控雷达、AI 服务器、5G 基站等需要低损耗、高绝缘耐压与信号完整性的高频高速场景。

产品规格

项目单位测试方法典型值
介电常数 Dk-IPC TM-6502.1-2.6(可调)
介电损耗 Df-IPC TM-650≤ 0.0015
耐热温度TMA≥ 260
热收缩率%200℃/30min≤ 0.5

* 以上为典型值,不作为产品规格限制。更多数据请下载技术资料。

典型性能

  • 高频下具有超低介电损耗(Df)
  • 介电常数(Dk)可按需调节,介电性能稳定
  • 优异的耐热性与低热收缩率
  • 绝缘耐压与信号完整性表现突出

应用领域

相控雷达低损耗高绝缘耐压场景
AI服务器高速信号完整性需求
5G基站高频稳定传输
高频高速先进电子材料与基板

加工指南

采用超薄精密切削工艺制备,使用时按设计要求进行裁切与层压;具体加工窗口与叠层建议请联系技术团队。

包装与储存

采用防尘防潮包装,存放于阴凉、干燥、通风处,避免挤压与高温环境。开封后请尽快使用并密封保存。